전기는 커패시턴스를 증가시키기 위해 커패시터에 사용됩니다. 유전체가 이온화에 저항하는 플레이트 사이의 매체의 능력을 증가시키고, 이로 인해 커패시턴스가 증가하기 때문입니다.
유전체는 기본적으로 절연체, 전류 전류 도체가 열악한 재료입니다. 도체의 유리 전자와는 달리 전자는 원자에 묶여 있습니다. 결과적으로 전류는 그것을 통해 흐를 수 없습니다.
이러한 재료는 물론 스스로를 단열하는 데 익숙하지 않는 한 전도 장치에는 자리가 없습니다. 그러나 유전체가 엔지니어들에 의해 멸시된다고 생각한다면, 당신은 끔찍하게 착각합니다. 실제로 유전체는 트랜지스터만큼 어디에나 있습니다. 모든 커패시터 사이에 유전체가 샌드위치되어 있으며, 터치 스크린이없는 동일한 커패시터는 유리 시트 일뿐입니다. 그러나 절연체는 어떻게 커패시터의 효능을 향상 시키는가?
커패시터의 다양한 혼합
먼저 커패시터의 작동 방식을 이해해야합니다.
커패시터
커패시터는 서로 매우 가깝게 배치 된 2 개의 병렬 금속 플레이트로 구성된 장치입니다. 커패시터의 주요 목표는 충전을 저장하는 것입니다. 다른 회로를 구동하기 위해 나중에 충전을 해제 할 수 있습니다. 이 속성은 인버터와 같은 장치에서 매우 유용하게 만듭니다. 그러나 청구를 해제하기 전에 먼저 획득해야합니다.
커패시터는 플레이트를 배터리 단자에 연결하여 충전됩니다. 이제 금속은 유리 전자의 바다이기 때문에 음성 터미널에서 나오는 전자가 금속에 도달 할 때 표면의 전자를 격렬하게 격퇴합니다. 반발력은 배터리에 의해 전자에 가해지는 힘을 중화시켜 접시에 축적되는 것을 막습니다.
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네거티브 터미널에서 나오는 전자는 금속에 도달하여 배터리에 의해 전자에 가해지는 힘을 표면의 전자를 격렬하게 격퇴합니다.
.여분의 전자는 반발력보다 더 큰 힘에 매료 된 경우 수용 될 수 있습니다. 이것은 다른 금속 플레이트를 평행하게 배치하여 달성됩니다. 평행 플레이트는 배터리의 양수 끝에 연결됩니다. 이 시점에서 양의 터미널은 연결된 플레이트에서 전자를 끌어 들여서 긍정적으로 충전됩니다.
다른 평행 금속 플레이트를 배치하여 여분의 전자가 수용됩니다.
이 양으로 하전 된 플레이트는 이제 우리가 원하는 매력의 힘을 제공 할 것이며, 이는 음성 터미널에 의해 전달되는 여분의 전자를 끌어들일 것입니다. 이런 식으로 커패시터는 충전을 저장합니다. 플레이트 의이 전하는 전선을 배터리의 두 단자에 마이너스와 양수 플레이트에 연결하여 배터리가없는 상태에서 다른 회로를 구동하는 데 사용될 수 있습니다.
.유전체가 커패시턴스를 향상시키는 이유
유전체의 원자는 전류를 생성하기 위해 이온화 될 수는 없지만 분명히 편광 될 수 있습니다. 유전체를 향해 음으로 하전 된 물체를 가져 오면 원자의 전자는 그에 의해 방출됩니다. 이것은 물체를 향한 유전체 측면에서 순 양전하가 발생하고 결과적으로 반대쪽의 순 음전하가 발생합니다.
.이제 긍정적 인 전하의 군대가 음의 판에 직면하기 때문에 플레이트의 전자는 이제 플레이트에 더욱 단단히 묶여 있습니다. 또한, 제 2 플레이트는 전자를 향하고 있기 때문에, 플레이트의 전자는 이제 더 큰 효능으로 반발된다. 이로 인해 첫 번째 플레이트가 더 많은 수의 전자가 발생하여 전체 커패시턴스가 증가합니다!
커패시턴스는 판의 횡단 면적의 비율과 그 사이의 거리에 의해 주어집니다. 더 큰 플레이트가 더 많은 충전을 수용 할 수있는 명백한 이유 때문에 플레이트의 단면을 증가 시키면 커패시턴스가 증가합니다. 커패시턴스는 전자를 두 번째 플레이트에 유혹하고 결합시키는 매력적인 힘을 약화시키는 간단한 이유 때문에 플레이트 사이의 거리가 증가함에 따라 감소합니다.
그러나, 우리는 커패시턴스가 또한 이온화에 저항하는 플레이트 사이의 매체의 능력의 직접적인 기능임을 발견했다. 이 능력의 척도는 그 유행에 의해 주어집니다. 따라서 커패시턴스는 판의 단면과 그 사이의 거리의 비율과 동일하며, 그들 사이의 매체의 허가도를 곱한 것.
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결론적으로, 좋은 유전체는 단순한 단순한 것이 아니라 어떤 비용 으로든 이온화를 거부하는 재료입니다. 또한 판이 항상 분리되어 짧은 가능성을 피합니다. 더 나은 유전체도 강력하고 고온에서 일할 수 있습니다.