열전 전환 장에서 적용 할 수있는 잠재적 후보로서 전이 금속 칼 코게 나이드 (TMC)는 많은 관심을 끌었다. tcx 2 (X =S, SE, TE)는 또한 전이 금속 Chalcogenide (TMC) 패밀리의 구성원입니다.
과거에는 TCX의 구조적, 기계적, 전자 및 광학적 특성 조사되었습니다. 그러나 이러한 재료의 열전 특성에 대한 연구는 없습니다. tcs 2 , tcse 2 및 tcte 2 등방성 결정 형태이며 우주 그룹 P-1을 갖는 트리 클린 성 구조를 갖는다. 이들 재료의 단위 셀에는 4 개의 공식 유닛 (z =4)이 포함되어 있으며 CD (OH)
첫 번째 원칙 밀도 기능 이론, 변형 전위 방법 및 볼츠만 전송 접근법을 사용함으로써, TCX 2 의 열전 특성. (x =s, se, te)가 연구되었습니다. 결과는 tcx 2 를 보여줍니다 (X =S, SE, TE)는 각각 0.99 eV, 0.73EV, 0.10 eV 인 간접 대역 간격을 갖는 반도체이다. 전도도는 고온 영역에 비해 저온 영역에서 더 큰 값을 가지며, p- 타입 도핑에 대한 전도도는 TCS 2 에 대한 N- 타입 도핑의 경우 항상 이들보다 더 크다. 및 tcte 2 모든 방향을 따라 tcse 2 X- 및 Z 방향을 따라 도핑 레벨이 높아짐에 따라 증가합니다.
tcx 2 에 대한 전기 전도도의 크기 (x =s, se, te)는 각각 10/ωm, 10/ωm, 10/ωm에 도달 할 수 있습니다. tcs 2 의 경우 , p- 도핑 수준이 10cm보다 클 때, 전자 열전도율의 값은 항상 200W/mk보다 큽니다. 전자 열 전도도의 최대 값은 각각 X-, y- 및 z 방향을 따라 400W/MK, 600W/MK 및 0.04W/MK입니다. tcse 2 의 경우 전도도의 최대 값은 x 방향을 따라 8.5W/mk, y 방향을 따라 18W/mk, Z 방향을 따라 0.03 w/mk입니다. tcte 2 의 경우 전자 열전도도는 모든 온도 값과 도핑 레벨에서 큰 값을 유지합니다.
tcs 2 및 tcse 2 10V/K의 크기 인 P 형 또는 N- 타입 도핑 모두에 대해 높은 S를 갖고, 도핑 레벨이 약화됨에 따라 SeeBeck 계수의 피크가 증가합니다. tcte 2 의 Seebeck 계수 항상 v/k보다 작습니다. PF는 TCS 2 에 대한 P 형 도핑에 의해 크게 향상 될 수 있습니다. 및 tcte 2 모든 방향을 따라 tcs 2 X 방향을 따라. 또한, N- 타입 도핑은 다른 방향에 훨씬 더 좋습니다. 이 현상은 tcx 2 임을 의미합니다 열전전에 잠재적 인 적용이 있습니다.
이러한 결과는 최근에 합금 및 화합물 저널에 발표 된 TCX2 (X =S, SE, TE)의 열전 특성이라는 제목의 기사에 설명되어 있습니다. 이 작업은 X. Jiang, L. Zhu 및 K.L에 의해 수행되었습니다. Huazhong University of Science and Technology의 Yao.
