반도체는 특정 조건에서 전기를 전도 할 수있는 재료입니다. 반도체의 전도도는 변형에 의해 영향을받을 수 있으며, 이는 재료가 스트레칭 또는 압축을 유발하는 힘입니다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼가 늘어나면 전도도가 증가합니다.
이 효과는 반도체 장치에서 전기 흐름을 제어하는 데 사용될 수 있기 때문에 중요합니다. 반도체에 변형을 적용함으로써 전기 신호를 운반 할 수있는 높은 전도도 채널을 만들 수 있습니다.
새로운 SIPL 방법은 빛을 사용하여 반도체의 변형을 측정합니다. 반도체에 빛이 빛나면 전자를 자극하여 광자를 방출 할 수 있습니다. 방출 된 광자의 에너지는 반도체의 변형에 의존한다. 광자의 에너지를 측정함으로써 변형의 양을 결정할 수 있습니다.
SIPL 방법은 매우 민감하며 변형을 매우 작은 레벨로 측정 할 수 있습니다. 이것은 매우 상세한 수준에서 반도체 장치에 대한 변형의 영향을 연구 할 수있게한다. 이로 인해 이러한 장치의 성능이 향상 될 수 있습니다.
새로운 SIPL 방법은 다른 재료를 연구하는 데 사용될 수도 있습니다. 예를 들어, SIPL은 변형이 금속과 도자기의 특성에 어떤 영향을 미치는지 연구하는 데 사용될 수 있습니다. 이것은 재료의 기계적 특성에 대한 새로운 통찰력으로 이어질 수 있습니다.
새로운 SIPL 방법의 개발은 반도체 연구 분야에서 상당한 돌파구입니다. 이 방법은 반도체 장치의 성능을 향상시키고 재료의 특성에 대한 새로운 통찰력을 제공 할 가능성이 있습니다.
