2. 온도 변경. 이것은 전방 및 역 반응의 속도에 영향을 미치므로 발열 성 반응 방향으로 평형 위치를 이동시킵니다. 예를 들어, 시스템의 온도를 높이면 평형은 열을 방출하는 반응 방향으로 이동합니다. 온도를 줄이면 평형은 열을 흡수하는 반응 방향으로 이동합니다.
3. 압력 변화. 이는 가스의 두더지의 변화를 포함하는 경우 반응의 평형 위치에만 영향을 미칩니다. 예를 들어, 기체 반응물을 함유하는 시스템의 압력을 증가 시키면 평형은 두더지의 가스를 생성하는 반응 방향으로 이동합니다. 압력을 줄이면 평형은 더 많은 두더지의 가스를 생성하는 반응 방향으로 이동합니다.
4. 촉매 추가. 촉매는 반응에서 소비되지 않고 반응 속도를 높이게한다. 이것은 제품 방향으로 평형 위치를 이동시킵니다.
5. 용매 변경. 이는 반응물 및 생성물의 용해도에 영향을 줄 수 있으므로 평형 위치를 이동할 수 있습니다. 예를 들어, 용매를 물에서 비극성 용매로 바꾸면 평형은 비극성 생성물을 생성하는 반응 방향으로 이동합니다.
6. 전기장 적용. 이것은 하전 종을 포함하는 경우 반응의 평형 위치에 영향을 줄 수 있습니다. 예를 들어, 양으로 하전 된 반응물과 음으로 하전 된 제품이 포함 된 시스템에 전기장을 적용하면 평형은보다 긍정적으로 하전 된 제품을 생성하는 반응 방향으로 이동합니다. 전기장을 제거하면 평형은 반응 방향으로 이동하여보다 부전 된 제품을 생성합니다.
