전자 게인 엔탈피에 영향을 미치는 요인 :
* 효과적인 핵 전하 : 할로겐은 높은 효과적인 핵 전하 (원자가 전자에 의해 경험되는 양전하)를 갖는다. 이것은 핵에 작은 원자 반경과 많은 양의 양성자가 있기 때문에 전자를 중심쪽으로 더 강하게 당기기 때문입니다.
* 전자 차폐 : 할로겐의 내부 전자는 외부 원자가 전자를 핵에서 효과적으로 차폐하지 않습니다. 이것은 효과적인 핵 전하를 더욱 증가시킵니다.
* 반게 가득/채워진 p- 궤도 : 할로겐은 7 개의 원자가 전자를 가지며 1 개의 빈 p- 궤도를 남깁니다. 이 빈 궤도에 전자를 추가하면 안정적이고 완전히 채워진 p- 궤도 구성이 발생합니다. 이것은 에너지 적으로 유리하여 매우 음의 전자 게인 엔탈피를 초래합니다.
할로겐이 가장 높은 음의 전자 게인 엔탈피를 가진 이유 :
* 주기율표에서의 위치 : 할로겐은 주기율표의 그룹 17 (VIIA)에 위치합니다. 그것들은 높은 효과적인 핵 전하로 인해 가장 전기 음성 요소입니다.
* 전자를 얻는 경향 : 전기 음성화가 높기 때문에 할로겐은 안정적인 옥켓 구성을 달성하기 위해 전자를 얻는 경향이 강합니다. 이로 인해 상당한 양의 에너지가 방출되어 매우 음의 전자 게인 엔탈피가 발생합니다.
예외 :
* 불소 : 불소는 가장 전기 음성 요소이지만 전자 게인 엔탈피는 염소보다 덜 음수입니다. 불소의 작은 크기는 추가 전자가 첨가 될 때 강한 인터 로로 리울로 이어지기 때문입니다.
결론 :
높은 효과적인 핵 전하, 불완전한 p- 궤도 및 전자를 얻는 강한 경향의 조합은 할로겐이 가장 높은 음의 전자 게인 엔탈피 값을 갖습니다.
