* 전자 구성 : Boron의 전자 구성은 1S²2S²2P¹이고 Beryllium은 1S²2S²입니다. 붕소의 가장 바깥 쪽 전자는 2p 궤도에 있으며, 이는 베릴륨의 가장 바깥 전자가 점유하는 2S 궤도보다 에너지가 높습니다.
* 차폐 : 붕소의 2p 전자는 베릴륨의 2S 전자보다 내부 전자에서 더 많은 차폐를 경험합니다. 이는 붕소의 2p 전자가 핵에 덜 끌려가되어 제거하기가 더 쉬워집니다.
* 침투 : 베릴륨의 2S 전자는 붕소의 2p 전자보다 핵에 더 가깝게 침투합니다. 이 더 큰 침투는 베릴륨의 핵과 2s 전자 사이에 더 강한 인력을 가져 오기 때문에 제거하기가 더 어려워집니다.
요약 :
* 붕소의 가장 바깥 전자는 에너지 수준이 높고 (2p) 더 높은 차폐를 경험하여 제거하기가 더 쉬워집니다.
* 베릴륨의 가장 바깥 쪽 전자는 에너지 수준 (2s)이 낮고 차폐가 덜 경험되어 제거하기가 더 어려워집니다.
따라서, 핵 전하가 더 높음에도 불구하고, 붕소는 베릴륨보다 첫 번째 이온화 에너지가 낮다.
