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탄소 테트라클로라이드의 끓는점이 실리콘 트라 클로라이드보다 큰 이유는 무엇입니까?

탄소 테트라 클로라이드 (CCL)의 끓는점은 실리콘이 탄소보다 더 큰 원자이지만, 사트라 클로라이드 (SICL)의 실리콘의 실리콘의 끓는점보다 크다. 이유는 다음과 같습니다.

분자 분자력 :

* ccl c : 탄소 테트라클로라이드는 주로 van der waals forces 를 나타냅니다 (런던 분산 세력), 임시 유도 쌍극자에서 발생하는 (런던 분산 세력). 더 큰 크기의 CCL of 분자와 그의 전자 밀도가 높으면 더 강한 반 데르 발스 (Van der Waals)의 관광 명소를 초래합니다.

* sicl> : 실리콘 테트라 클로라이드는 또한 반 데르 발스 힘을 나타냅니다. 그러나 극성 sicl significant의는 CCl₄과 유의하게 다릅니다. 실리콘은 탄소보다 전기 음성이 적으므로 더 극성 SI-CL 결합을 초래합니다. 이 극성은 SICL₄에서의 반 데르 발스 상호 작용을 약화시킨다.

결합 강도 :

SI-CL 결합은 C-Cl 결합보다 약하지만, 결합 강도의 차이는 끓는점의 차이의 주요 이유가 아니다. 분자간 힘은 끓는점을 결정하는 데 훨씬 더 중요한 역할을합니다.

요약 :

CCL의 더 높은 끓는점은 다음과 같은 것으로 생각할 수 있습니다.

1. 강한 반 데르 발스 세력 CCL의 크기가 커지고 전자 밀도가 높기 때문입니다.

2. 낮은 극성 siCl₄과 비교하여 ccl₄의 SICL₄에서 분자간 상호 작용이 약해집니다.

따라서, Si는 C보다 더 큰 원자이지만, CCL의 더 강한 분자간 힘은 더 높은 끓는점을 초래한다.

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