이유는 다음과 같습니다.
* 원자가 전자 : 갈륨에는 3 개의 원자가 전자가 있고 비소에는 5가 있습니다.
* 이온 결합 : 갈륨은 3 개의 원자가 전자를 잃어 +3 양이온 (ga³⁺)을 형성하는 경향이 있습니다. 비소는 -3 음이온 (As³⁻)을 형성하기 위해 3 개의 전자를 얻는 경향이있다.
* 중성 화합물 : 이온의 전하는 균형을 잡아서 공식 GAA와 함께 중성 화합물을 초래한다.
따라서, 갈륨 및 비소에 의해 형성된 화합물은 갈륨 비소 (GAA)이며, 이는 다양한 전자 장치에 사용되는 반도체 재료이다.
