1930 년대의 실험은 특정 고체 - 상태 반도체와 접합부가 전하 운송 업체의 수를 제어하고이를 통한 전하 운송 업체 흐름의 방향을 제어 할 수있는 능력을 가졌다는 결론을 내렸다. 이로 인해 현대식 고형 상태 반도체 전자 장치가 개발되었습니다. 반도체는 오늘날 중요한 전자 장치의 가장 중요한 구성 요소 중 하나입니다.
반도체
반도체는 도체와 절연체 사이의 전기에 민감한 재료입니다. 따라서, 반도체는 전기 전도성이 제한되는 비금속이다. 순수한 형태의 반도체에서, 실리콘 및 게르마늄과 같은 일부 비금속은 좋은 반도체입니다. 반도체에 약간의 불순물을 추가함으로써, 도핑이라는 공정을 통해 반도체의 전도도를 변경할 수있다. 거의 모든 전기 및 전자 기기는 반도체를 사용하여 전기의 흐름을 제어합니다.
반도체 정의
반도체는 도체와 절연체 사이에 저항력이있는 물질입니다. 저항 속성은 재료를 결정하는 유일한 속성은 반도체입니다. 반도체 장치는 전자 제품 분야에서 널리 사용됩니다. 트랜지스터는 부피가 큰 진공 튜브를 대체하여 장치의 크기와 비용을 줄였습니다.이 혁명은 그 속도를 더욱 가속화하여 통합 전자 제품과 같은 새로운 발명품을 초래했습니다.
반도체의 전도
전자에 대한 약간의 지식이있는 우리는 가장 바깥 쪽 쉘에 원자가 전자가 핵과 느슨하게 연관 (부착)을 가지고 있음을 알고 있습니다. 원자가 전자를 갖는 원자는 다른 원자에 접근 할 때 두 원자의 원자가 전자가 결합되어 전자 쌍을 형성한다. 이 유대는 그렇게 강하지 않으므로 공유 결합입니다.
반도체의 특성
반도체에는 많은 특성이 있으며 그 중 일부는 여기에 제공됩니다.
- 반도체의 온도 계수는 음수이므로 반도체의 저항은 온도가 증가함에 따라 감소하고 그 반대도 마찬가지입니다. 예를 들어, 게르마늄은 저온에서 절연체이지만 고온에서 좋은 지휘자가됩니다.
- 중립의 반도체는 나쁜 도체처럼 행동하지만 반도체를 통해 전류가 흐를 수있는 몇 가지 기술이 있습니다. 반도체의 도핑으로 인해 전도성 재료처럼 작동하며 전기가 통과 할 수 있습니다.
- 반도체의 저항력은 절연체보다 크고 도체보다 작습니다.
- 일부 반도체에서, 여기 전자는 열을 생성하는 대신 이완되고 빛을 방출 할 수 있습니다. 이 반도체는 반도체의 광학 특성 인 광 방출 다이오드 (LED)를 만드는 데 사용됩니다.
반도체의 유형
여기에 제공되는 두 가지 유형의 반도체가 있습니다.
- 고유 반도체
- 외부 반도체
내재 반도체
매우 순수한 형태의 반도체는 고유 반도체로 알려져 있습니다.
고유 반도체에서, 전자 구멍 쌍은 실온에서 형성된다. 고유 반도체에서, 재료 사이에 전압이 적용될 때, 전류는 유리 전자와 구멍으로 인해 재료를 통한 흐릅니다.
유리 전자는 열 또는 열 에너지에 의해 공유 결합의 파괴로부터 생성된다. 동시에, 구멍은 공유 밴드로 만들어집니다. 따라서 반도체를 통한 총 전류는 전자와 구멍으로 인해 생성되는 전류의 합입니다.
외적 반도체
본질적인 반도체는 도체가 열악하거나 실온에서 전도도가 좋지 않습니다. 전도성을 증가시키기 위해 반도체 재료에 불순물이 추가됩니다. 이 유형의 반도체에는 외적 반도체라는 불순물이 있습니다.
반도체의 전도도를 증가시키기 위해 반도체에 불순물을 추가하는 과정을 도핑이라고합니다. 도핑의 주요 목표는 반도체 결정의 전자 또는 구멍의 수를 높이는 것입니다. 추가 된 불순물에 따라 P 형 또는 N 형 반도체 사이에서 결정될 수 있습니다.
p - 반도체를 입력하십시오
소량의 삼위화 불순물이 순수한 반도체에 첨가 될 때, 반도체를 P- 타입 외인성 반도체로 알려진다. 추가 된 불순물은 원자가 전자가 3 (3)과 같습니다.
n - 반도체를 입력하십시오
순수한 반도체에 소량의 pentavalent 불순물이 첨가 될 때 반도체를 N - 유형 외부 반도체라고합니다. 추가 된 불순물은 원자가 전자가 5 (5)와 같습니다.
주로 사용 된 반도체
많은 반도체를 사용할 수 있지만 일부는 전자 제품에 실질적인 응용 프로그램이 있습니다. 실리콘 (SE)과 게르마늄 (GE)은 광범위하게 사용됩니다. 이 두 재료가 원자가 밴드로부터 전자를 방출하는 데 필요한 에너지가 너무 낮기 때문에 이러한 반도체는 널리 사용됩니다. 실리콘은 1.1 eV가 필요하고 게르마늄은 전도 대역에서 자유 전자에 0.7 eV가 필요합니다. 실리콘과 게르마늄은 반도체의 기본 또는 기본 예입니다.
결론
반도체는 도체와 절연체 사이에 저항력이있는 물질입니다.
저항 속성이 재료를 결정하는 유일한 속성은 반도체입니다.
반도체의 저항은 절연체보다 크고 도체보다 작습니다.
여기에 제공되는 두 가지 유형의 반도체가 있습니다.
- 고유 반도체
- 외부 반도체
매우 순수한 형태의 반도체는 고유 반도체로 알려져 있습니다.
본질적인 반도체는 도체가 열악하거나 실온에서 전도도가 좋지 않습니다. 전도성을 증가시키기 위해 반도체 재료에 불순물이 추가됩니다. 이 유형의 반도체에는 외적 반도체라는 불순물이 있습니다.
소량의 삼위화 불순물이 순수한 반도체에 첨가 될 때 반도체는 P- 타입 외인성 반도체로 알려진다.
소량의 pentavalent 불순물이 순수한 반도체에 첨가되면 반도체를 n - 유형 외부 반도체로 알려져 있습니다.
실리콘 (SE)과 게르마늄 (GE)은 광범위하게 사용됩니다.
