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반도체


비전 도자 또는 보호자 (예 :대부분의 도자기). 반도체는 실리콘 또는 게르마늄과 같은 순수한 화합물 일 수 있거나, 갈륨 아르 세니 나이드 또는 카드뮴 셀레 나이드와 같은 화합물이 될 수 있습니다. 반도체는 공통 금속 저항성과 보호기의 공통 저항 사이의 전기 물체의 유형이기 때문에 반도체라고 불리우므로, 유형 또는“세미” - 전기 전기입니다.

이론

반도체에는 특정 전기 특성이 있습니다. 도체를 도체라고하며 비 전기 도체를 절연체라고합니다. 반도체는 그 사이에 구조가있는 물체입니다. IC (통합 회로) 및 다이오드 및 트랜지스터와 같은 개별 전자 구성 요소는 반도체로 구성됩니다. 가장 일반적인 반도체는 실리콘과 게르마늄입니다. 실리콘은 이것들로 가장 잘 알려져 있습니다. 실리콘은 대부분의 IC를 형성합니다. 일반적인 반도체 화합물은 갈륨 비 세나이드 또는 인듐 안티 모니드와 유사하며, 일상 생활을 지원하는 많은 전기기구 및 공공 인프라에서, 도핑이 불리는 과정에서 소량의 불순물이 순수한 반도체에 상당한 변화를 일으킨다. 전자 장치가없는 삶을 생각하십시오. 라디오, 텔레비전, 컴퓨터, 비디오 게임 및 약한 의료 진단 장비는 없습니다. 진공 튜브 기술을 사용하여 많은 전기 제품을 만들 수 있지만 지난 50 년 동안 반도체 기술의 발전으로 전자 장치가 더 빠르고 빠르며 신뢰할 수있게되었습니다. 잠시 동안 당신이 Karmic Driven World of Earl에 바뀌 었다고 상상해보십시오. 지난 24 시간 동안 다음 중 얼마나 많은 것을 보거나 사용 했습니까? 각각에는 전기 장비로 제작 된 중요한 구성 요소가 있습니다.

반도체 특성

반도체는 선택된 조건 또는 조건에서 전기를 전달할 수 있습니다. 이 독특한 디자인은 필요에 따라 제어 된 방식으로 전기를 실행하는 것이 이상적입니다. 도체와 달리 반도체의 전하 도체는 외부 전력 (열 충격)으로 인해 나타납니다. 일정 수의 원자가 전자가 파워 갭을 가로 지르고 드라이브 밴드로 점프하여 동일한 수의 비어있는 전력 회로, 즉 구멍을 남깁니다. 전자와 구멍으로 인한 운전도 마찬가지로 중요합니다.
저항 :10 ~ 10 Ωm
전도도 :10 ~ 10 옴 m
저항 계수 :음수
전류 흐름 :전자와 구멍으로 인해.

반도체의 몇 가지 중요한 특징은 다음과 같습니다.

반도체는 제로 켈빈에 대한 보호 역할을합니다. 온도를 높이면 도체 역할을합니다. 다양한 전기 특성으로, 반도체는 도핑으로 대체하여 반도체 장치를 전력 변환, 스위치 및 증폭기에 적합하게 만들 수 있습니다. VERSA.

반도체의 유형

본질적인 반도체 조상 성 반도체

고유 반도체

반도체 재료의 내부 유형은 매우 화학적으로 깨끗해졌습니다. 단지 한 유형의 특징으로 구성되어 있습니다. GE) 및 실리콘 (SI)은 가장 일반적인 유형의 내부 반도체 구성 요소입니다. 그들은 4 개의 원자가 전자 (tetravalent)를 가지고 있습니다. 절대 제로 온도에서 공유 결합에 의해 원자에 결합되며, 온도가 상승하면 충돌의 결과로 몇 개의 전자가 차단되어 격자에서 자유롭게 움직일 수 있으므로 원래 위치 (구멍)에서 부재가 발생합니다. 이 자유 전자 및 구멍은 반도체의 전기 전기에 기여합니다. 부정적인 네트워크 회사는 값이 동일합니다. 제 에너지는 격자에서 몇 가지 원자를 이온화 할 수 있으므로 전도는 최소화됩니다.

외적 반도체

반도체의 전도도는 불순물이라는 적절한 원자를 도입함으로써 크게 향상 될 수 있습니다. 오염 물질 원자를 순수한 반도체에 첨가하는 과정을 도핑이라고합니다. 일반적으로 107 개의 원자 중 하나만 도핑 된 반도체의 도펀트 원자로 대체됩니다. 외부 반도체는 다음으로 나눌 수 있습니다.

N 형 반도체

P- 타입 반도체

N 형 반도체

주로 전자의 정류 중성 =IH 및 구멍의 수>> 가장 전자 수 - 전자 수 - 전자 수 - 전자 및 소수 - Holewhen 순수한 반도체 (실리콘 또는 게르마늄)는 펜타 발성 불순물 (P, SB, BI)에 의해 흡수됩니다. 따라서, 원자 원자는 격자에서 실행되는 유리 전자를 제공하고 Doner라고 불립니다. 오염 물질의 첨가에 따라 유리 전자의 양이 증가함에 따라, 음의 비용의 담체가 증가하고있다. 따라서,이를 N- 타입 반도체라고 불립니다. 결정은 전체적으로 중립적이지 않지만 기증 된 원자는 직선적이고 간접적 인 이온이됩니다. 전송은 많은 수의 자유 전자에 기인하기 때문에, N 유형의 반도체의 전자는 다수의 캐리어 및 구멍 소수 캐리어이다.

P 형 반도체

주로 구멍이 깔끔하게 중성 중성 =ih의 수>> 최대 전자의 수 - 최대 수의 수 - 구멍 및 소수로 인해 순수한 반도체는 3 대 불순물 (b, al, al, a, ga)에 노출 된 다음, 4 개의 반도체의 3 개의 원자가 전자가 4 개의 반도체의 3 개의 전자를 포함합니다. 결합 된 전자를 수용 할 준비가 된이 더러운 원자를 "수신자"라고하며, 오염량이 증가함에 따라 구멍 (우수한 비용)이 증가하고 있습니다. 따라서, P- 타입 반도체라고 불립니다. 결정 전체는 중립적이지만 수신기는 음의 이온이됩니다. 도체 전도는 많은 수의 구멍에 기인하기 때문에, p 유형의 반도체의 구멍은 큰 캐리어와 전자가 적은 캐리어이다.

결론

이제 일상 생활에서 반도체의 사용을 이해해 봅시다. 반도체는 거의 모든 전기 장치에서 사용됩니다. 그것들이 없다면, 우리의 삶은 매우 다를 것입니다. 트랜지스터, 다이오드, 매점, 마이크로 컨트롤러, 통합 칩 등은 반도체로 만들어집니다. 반도체의 재료 및 화학적 특성을 통해 마이크로 칩, 트랜지스터, LED, 태양 전지 등과 같은 기술적 경이로움을 설계 할 수 있습니다. 우주 차량, 트레인, 로봇의 작동을 제어하는 ​​데 사용되는 마이크로 프로세서는 반도체 장치가 제조 한 트랜지스터 및 기타 제어 장치로 구성됩니다.

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