$$ r_h =\ frac {1} {ne} $$
여기서 n은 전자 농도입니다. P 형 게르마늄의 경우 홀 계수는 다음과 같이 제공됩니다.
$$ r_h =-\ frac {1} {pe} $$
여기서 P는 구멍 농도입니다.
홀 계수는 반도체의 유형 (N- 타입 또는 P 형), 캐리어 농도 및 전하 운반체의 이동성을 결정하는 데 사용될 수 있습니다.
$$ r_h =\ frac {1} {ne} $$
여기서 n은 전자 농도입니다. P 형 게르마늄의 경우 홀 계수는 다음과 같이 제공됩니다.
$$ r_h =-\ frac {1} {pe} $$
여기서 P는 구멍 농도입니다.
홀 계수는 반도체의 유형 (N- 타입 또는 P 형), 캐리어 농도 및 전하 운반체의 이동성을 결정하는 데 사용될 수 있습니다.
