1. 도체와 절연체 사이의 전기 전도도 : 반도체는 절연체보다 현저히 높지만 도체보다 낮은 전도도를 가지고 있습니다. 이는 특정 조건에서 전기를 전도 할 수 있지만 금속만큼 자유롭지는 않음을 의미합니다.
2. 온도에 따라 전기 전도도가 증가합니다. 온도가 증가함에 따라 전도도가 감소하는 금속과 달리 반도체는 온도가 상승함에 따라 전도도가 증가합니다. 더 많은 전자가 전도 대역으로 뛰어 들기에 충분한 에너지를 얻기 때문입니다.
3. 도핑 능력 : 반도체는 전도성을 변경하기 위해 불순물로 도핑 될 수 있습니다. 도핑은 반도체의 결정 구조에 소량의 다른 요소를 추가하는 것을 포함합니다. 이것은 n- 타입 를 만들 수 있습니다 과량의 유리 전자 또는 p- 타입을 갖는 반도체 과도한 구멍이있는 반도체 (전자 공석).
4. 작은 밴드 갭을 갖는 밴드 구조 : 원자가 밴드 (전자가 휴식 중에 존재하는)와 전도 대역 (전자 전자가 자유롭게 움직일 수있는) 사이의 에너지 차이를 밴드 갭이라고합니다. 반도체는 비교적 작은 밴드 갭을 가지므로 전자가 적당한 양의 에너지 (열 또는 빛과 같은)로 전도 대역으로 이동할 수 있습니다.
간단한 용어로 :
반도체는 도체와 절연체 사이에있는 재료입니다. 불순물을 추가하여 전기를 더 잘 수행 할 수 있으며 온도에 따라 전기를 전도하는 능력이 증가 할 수 있습니다. 이 독특한 속성의 조합은 현대 전자 제품에 필수적입니다.
