1. 큰 전기 음성 차이 :
* 두 원자가 전기 음성의 차이가 크면 전기 음성 원자가 전자를 강하게 끌어 들여 전기 음성 원자가 전자를 공유하거나 기증하기가 어렵습니다.
* 이로 인해 전자가 공유되는 대신 전자가 전달되는 이온 결합이 발생하여 유체 전자 흐름이 덜 발생합니다.
2. 궤도 사이의 큰 에너지 간격 :
* 다른 원자에서 전자의 에너지 수준이 양자화됩니다. 두 원자의 궤도 사이의 에너지 갭이 크면 전자가 한 원자에서 다른 원자로 점프하기가 어려워집니다.
* 이것은 전자를 수용 할 가능성이 적기 때문에 외부 껍질이 채워진 원자에 특히 그렇습니다.
3. 저온 :
* 저온에서 전자는 운동 에너지가 적고 원자 사이의 에너지 장벽을 극복 할 가능성이 적습니다. 이것은 전자 이동성과 전도도를 줄입니다.
4. 높은 이온화 에너지 :
* 이온화 에너지가 높은 원자는 전자를 제거하기 위해 많은 에너지가 필요합니다. 이것은 전자가 한 원자에서 다른 원자로 흐르기가 더 어려워집니다.
5. 강력한 원 자간 성능 :
* 수소 결합 또는 반 데르 발스 세력과 같은 강력한 원자 내 힘은 전자의 움직임을 제한 할 수 있습니다. 이 힘은 원자를 단단히 함께 유지하여 전자가 그들 사이를 이동하기가 어렵습니다.
6. 불순물 또는 결함의 존재 :
* 재료의 결정 격자의 불순물 또는 결함은 산란 중심으로 작용함으로써 전자의 흐름을 방해 할 수 있습니다. 이것은 재료의 전도도를 크게 줄일 수 있습니다.
7. 고압 :
* 재료에 고압을 적용하면 원자를 압축하고 원자 간 상호 작용을 증가시킬 수 있습니다. 이것은 전자의 움직임을 방해하고 전도도를 줄일 수 있습니다.
예 :
* 절연체 : 궤도와 높은 이온화 에너지 사이에 큰 에너지 갭이있는 재료는 전자 흐름이 매우 낮으며 전기 도체가 열악합니다.
* 이온 성 화합물 : 전기 음성 성 차이가 크기 때문에 전자는 공유되지 않고 전달되어 전자 흐름이 제한되어 있습니다.
* 반도체 : 이들의 전도도는 온도, 도핑 또는 불순물에 의해 제어 될 수 있으며, 이는 전자 흐름이 다양한 요인에 의해 영향을받을 수 있음을 보여줍니다.
이들은 원자 사이의 전자 흐름의 용이성에 영향을 미치는 주요 요인 중 일부입니다. 관련된 특정 요인과 그로 인한 난이도는 특정 원자와 관련된 조건에 따라 다릅니다.
