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전자 첨가


기증 가능한 전자 쌍을 함유하는 다른 분자와 반응하는 경향이있는 분자는 전기성이다. 전기성과 쉽게 공유 할 수있는 익을 수있는 전자 쌍 또는 고독한 쌍을 함유하는 분자는 친핵체이다. 전기성 및 친핵체가 함께 반응하여 이중 또는 삼중 결합에 첨가되는 반응을 전자 성 첨가 반응이라고한다. 

경사 반응을 겪음으로써 다양한 유용한 제품이 얻어진다. 전자 첨가 반응은 PI 결합을 함유하는 화합물에서 관찰되므로 반응은 PI 결합의 제거와 다른 시그마 결합의 생성을 포함한다.

첨가 반응

둘 이상의 분자가 결합하여 부가 물 또는 첨가를 형성 할 때, 결과는 첨가 반응이다. 일반적인 유기 화학 반응입니다. 이 반응의 범위는 불포화가있는 분자로 제한됩니다. 따라서 추가 반응을 진행하려면 이중 또는 트리플 본드가 있어야합니다.

전자 성 첨가 반응은 이중 또는 삼중 결합과 같은 불포화를 갖는 분자가 중간 전기 영동의 형성과 첨가 반응을 겪는 첨가 반응의 유형이다. 따라서,이를 전자 첨가라고합니다. 그것은 또한 제거 반응의 반대라고도합니다.

전자 첨가의 의미

전자 성 첨가 반응은 유기 화학에 광범위한 적용을 갖는다. 이중 또는 삼중 결합 (PI 결합을 함유 한 이중 또는 삼중 결합)을 갖는 화학 화합물 또는 유기 화합물은이 반응을 겪고있다. 이중 또는 트리플 본드에 존재하는 결합은 깨져서 새로운 시그마 본드가 형성됩니다. 

단계

전자 유전 첨가 반응의 단계는 탄수화물 중간체의 형성을 포함한다. 전자가 풍부한 중심 또는 불포화를 갖는 분자는 먼저 HBR의 전기성 H+에 의해 공격됩니다. 그런 다음 탄소와 전기로 결합이 형성됩니다. 나중에, 이것은 탄소와 전기성 사이의 공유 결합의 탄수화물 형성의 형성을 초래한다. 이런 식으로 발생하는 반응은 다음과 같습니다.-





첫 번째 단계에서, 탄수화물이 형성되어 다른 전자가 풍부한 종과 반응하여 다른 시그마 본드 또는 공유를 형성한다. PI 결합의 파괴는 2 개의 시그마 결합의 형성을 포함한다. 

전자 성 첨가 반응은 두 단계로 구성된 반응입니다. 친핵체 또는 전자가 풍부한 종 또는 핵을 사랑하는 종의 첨가 인 두 번째 단계는 SN1 반응과 동일하다. 아래 그림은 여기에서 발생하는 반응을 보여줍니다.-





따라서, 전자 성 첨가는 포화 화합물의 형성을 초래한다.

결론

전기성의 사용 또는 전기성에 기초한 작용을 포함하는 반응은 전자 성 첨가 반응이다. 반응은 전기성 또는 전자를 좋아하는 종 없이는 발생하지 않기 때문에,이 유형의 첨가에 전자 유전 반응이라는 이름이 주어진다. 이 반응의 도움으로 쉽게 합성 할 수있는 다양한 유용한 유기 화합물이 있습니다. 이러한 유형의 반응과 관련된 두 단계가 있습니다. 첫 번째 단계는 전기의 공격이며, 두 번째 단계는 탄수화물 중간체가 형성되기 때문에 친핵체 또는 핵을 좋아하는 종의 공격입니다.

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