다음은 온도가 역 포화 전류에 어떤 영향을 미치는지에 대한 설명입니다.
1. 소수의 운송 업체 생성 증가 : 온도가 증가함에 따라 반도체 재료에 제공된 열 에너지가 증가합니다. 이로 인해 더 많은 전자가 원자가 밴드에서 전도 대역으로 점프하기에 충분한 에너지를 얻어 전자 구멍 쌍을 만듭니다. 이들 소수 캐리어 (P- 타입 영역의 전자 및 N 형 영역의 구멍)는 역 포화 전류에 기여한다.
2. 향상된 확산 : 더 높은 열 에너지는 또한 소수 캐리어의 이동성을 증가시킵니다. 이는 소수 캐리어가 고갈 영역을 가로 질러 더 쉽게 확산 될 수 있으며, 역 포화 전류에 더 기여할 수 있음을 의미합니다.
3. 감소 된 밴드 갭 : 온도가 증가함에 따라 반도체 재료의 에너지 밴드 갭이 감소합니다. 이를 통해 전자가 접합부를 가로 질러 반대쪽 영역으로 들어가는 것이 더 쉬워서 역 포화 전류가 증가합니다.
iₛ 사이의 지수 관계 온도는 다음 방정식을 사용하여 수학적으로 표현 될 수 있습니다.
i t (t) =iₛ (t ₀) * (t/t₀)^(n)
어디:
- iₛ (t) 온도 t 에서 역 포화 전류입니다 .
- iₛ (t₀) 기준 온도에서 역 포화 전류 t₀ 입니다. .
- n 반도체 재료에 의존하는 경험적 상수입니다. 일반적으로 값은 2와 3 사이입니다.
온도가 증가함에 따라 iₛ (t) 기하 급수적으로 증가하여 다이오드를 통한 역전 전류가 높아집니다. 이 효과는 더 높은 온도에서 더욱 두드러집니다.
요약하면, 다이오드의 역 포화 전류는 일정하지 않고 온도에 따라 증가합니다. 이 온도 의존성은 iₛ 사이의 지수 관계에 의해 적용됩니다. 그리고 온도.
