반응 속도에 영향을 미치는 요인 :
* 온도 : 온도가 높을수록 분자의 운동 에너지가 증가하여 더 빈번하고 활력이 넘치는 충돌이 발생하여 반응 속도가 증가합니다.
* 농도 : 반응물의 농도가 높을수록 더 빈번한 충돌로 이어져 반응 속도가 증가합니다.
* 표면적 : 고체를 포함하는 반응의 경우, 더 큰 표면적은 반응물에 대한 더 많은 접촉 지점을 제공하여 반응 속도를 증가시킨다.
* 촉매 : 촉매는 활성화 에너지가 낮은 대안 반응 경로를 제공하여 소비되지 않고 반응의 속도를 높입니다.
* 반응물의 특성 : 반응물의 화학 구조 및 결합은 반응성에 영향을 미칩니다. 일부 분자는 쉽게 반응하는 반면, 다른 분자는 덜 반응합니다.
반응 방향에 영향을 미치는 요인 :
* 엔탈피 변화 (ΔH) : 발열 반응 (음성 ΔH)은 열을 방출하며 더 낮은 온도에서 선호됩니다. 흡열 반응 (양성 ΔH)은 열을 흡수하고 더 높은 온도에서 선호됩니다.
* 엔트로피 변경 (ΔS) : 장애를 증가시키는 반응 (양성 ΔS)은 자발적으로 발생할 가능성이 높습니다.
* 깁스 자유 에너지 변화 (ΔG) : 이것은 엔탈피와 엔트로피의 효과를 결합합니다. 음성 ΔG와의 반응은 자발적이며 전방 방향으로 진행됩니다.
* 평형 상수 (k) : 이 값은 평형에서의 생성물 및 반응물의 상대적인 양을 나타냅니다. 큰 K는 반응이 생성물 형성을 선호한다는 것을 나타낸다.
기타 요인 :
* 압력 : 압력은 가스상 반응의 속도와 방향에 영향을 줄 수 있습니다. 압력이 증가하면 가스 분자가 적은 반응을 선호 할 수 있습니다.
* 빛 : 광화학 반응은 빛에 의해 시작되며, 이는 결합을 깨고 반응을 시작하는 데 필요한 에너지를 제공 할 수 있습니다.
이러한 요소는 종종 상호 연결되어 화학 반응의 전반적인 속도와 방향을 결정하기 위해 함께 작동한다는 점에 유의해야합니다.
