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왜 알루미늄 트리 플루오 라이드가 높은 끓는점이 높은 것보다 실리콘 테트라 플루오 라이드가 가스인가?

알루미늄 트리 플루오 라이드 (ALF₃)는 실리콘 테트라 플루오 라이드 (SIF₄)보다 끓는점이 훨씬 높습니다. 이유는 다음과 같습니다.

1. 본드 강도 :

* alf al : 알루미늄 트리 플루오 라이드는 이온 결합 를 나타낸다 . 알루미늄과 불소 사이의 전기 음성 차이는 크기 때문에 전자의 전달과 이온 사이의 강한 정전기 관광 명소로 이어집니다. 이러한 강력한 이온 결합은 파손되기 위해 상당한 양의 에너지가 필요하므로 높은 끓는점을 초래합니다.

* sif s : 실리콘 테트라 플루오 라이드는 공유 결합 를 나타낸다 . Si-F 결합은 극성이지만, 분자는 사면체이며 전자 밀도의 대칭 분포를 갖는다. 이것은 쌍극자 모멘트가 취소되어 분자 사이의 분자간 힘 (van der waals forces)이 약해짐을 의미합니다. 이 약한 힘은 극복하기가 훨씬 쉽고 끓는점이 낮습니다.

2. 격자 구조 :

* alf al : 알루미늄 트리 플루오 라이드는 3 차원 결정 격자를 형성한다 . 이 강력하고 질서의 구조는 단단한 것을 분해하고 기화하는 데 필요한 에너지를 더욱 증가시킵니다.

* sif s : 실리콘 테트라 플루오 라이드는 분자 고체 이다 분자 간 힘이 약한 분자를 함께 잡고 있습니다.

요약 :

* Alf₃의 이온 결합은 Sif₄의 약한 반 데르 발스 힘보다 극복하기 위해 훨씬 더 많은 에너지를 요구하는 강한 정전기력을 초래합니다.

* Alf₃의 3 차원 격자 구조는 결합을 더욱 강화하고 기화에 필요한 에너지를 증가시킵니다.

이러한 요인들은 Alf₃와 Sif₄ 사이의 끓는점의 상당한 차이에 기여합니다.

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