미터 브리지를 사용한 와이어의 특정 저항

전자가 전선을 통과함에 따라, 그들은 어떤 종류의 장애물에 직면합니다. 저항은 전하 흐름에 대한 장애물 또는 장애입니다. 전자가 한 터미널에서 다른 터미널로 이동하면 경로가 직접적이지 않습니다. 실제로, 그것은 도체 내부의 일정한 원자로 발견되는 여러 충돌을 포함하는 편향된 경로입니다. 두 도체 사이에 쌓인 전기 잠재력은 전하를 자극합니다. 그것은 그것을 낙담 시키거나 방해하는 저항입니다.

특이 적 저항

물질의 특이 적 저항 또는 저항은 길이가 30cm 인 재료의 1m 와이어로 제공되는 저항으로 정의됩니다. 저항과 재료의 특이 적 저항 사이에는 밀접한 관련이 있습니다. 케이블의 저항은 재료의 저항성 또는 특이 적 저항에 비례합니다.

전기 저항성은 주어진 온도에서 단위 길이 당 전기 저항 및 단면 면적이며 ρ로 표시됩니다. 전기 저항은 특정 전기 저항이라고도합니다. 전기 저항 단위는 옴 미터입니다.

저항성 공식

저항성 공식은

로 제공되는 저항을 결정하는 데 사용됩니다.

두꺼운 와이어의 특정 저항이 증가하고 교차 - 단면 영역이 얇은 와이어의 경우 더 적기 때문에 얇은 와이어의 경우 감소합니다. 와이어의 길이가 감소 할 때 와이어의 특정 저항이 증가합니다. 와이어의 길이가 증가하면 와이어의 특정 저항 또는 저항력이 감소합니다.

다양한 물질의 저항성

저항력이 높은 재료는 저항이 높고 전자의 흐름에 저항합니다. 저항성이 낮은 재료는 저항이 낮으므로 전자가 재료를 통해 매끄럽게 흐를 수 있습니다.

예를 들어, 구리와 알루미늄의 저항력은 낮습니다. 좋은 지휘자는 저항력이 낮습니다. 절연체의 저항력은 높습니다. 반도체의 저항성은 도체의 저항성과 절연체의 저항성 사이에 있습니다. 금은 전기의 좋은 지휘자이므로 금은 저항력이 낮습니다 (특정 저항).

유리는 전자의 흐름을 허용하지 않는 좋은 절연체입니다. 따라서 비열한 저항이 높습니다. 실리콘은 반도체이므로 전자의 부분 운동을 가능하게합니다. 실리콘의 저항은 유리와 금 사이입니다. 완벽한 도체의 특정 저항은 0 (0)이며 완벽한 절연체의 경우 무한합니다.

재료의 특이 적 저항

텅스텐 =33.2

구리 =10.8

금 =14.7

순수한 철 =60.0

마그네슘 =276

은 =9.8

미터 브리지

미터 브리지를 슬라이드 와이어 브리지라고도합니다. Meter Bridge는 Wheatstone Bridge의 원리에 작용하는 악기입니다. 도체의 알려지지 않은 저항을 결정하는 데 사용됩니다.

미터 브리지는 전기 회로를 사용하여 다리 중 하나에 알려지지 않은 구성 요소가 포함 된 브리지 회로의 두 다리 균형을 유지하면서 알 수없는 전기 저항을 측정하기 위해 전기 회로를 사용하는 유형의 밀 스톤입니다.

사무엘 헌터 크리스티 (Samuel Hunter Christie)는 1833 년에 미터 다리를 설계했으며 1823 년 찰스 휘트 스톤 (Charles Wheatstone)에 의해 개선되고 단순화되었습니다. 오늘날 디지털 멀티 미터는 저항을 측정하는 가장 쉬운 방법을 제공합니다. Wheatstone Bridge는 여전히 Milliohm 범위 주변의 빛 저항 값을 측정하는 데 사용될 수 있습니다.