자기 플럭스의 치수 공식

자기 플럭스

일반적으로, 전하 (E-)가 어떤 공간에서도 이동하는 경우, 힘의 움직임은 전기 힘과 벡터의 두 가지 양으로 측정됩니다. 전기 힘은 충전 속도와 관련이 없지만 전하 성분만을 나타냅니다. 벡터는 전하가 움직일 때 생성 된 자기장에 지나지 않습니다. 단위 면적으로 전달되는 벡터 또는 자기장의 양은 자기 플럭스라고합니다.

개요

자기 플럭스는 평평한 표면과 폐쇄 표면 모두에서 자기장을 측정하는 데 사용될 수 있습니다. 모든 크기와 방향 일 수 있습니다. 장치는 M2 당 테슬라 또는 웨버입니다. b =b .a로 쓸 수 있습니다. 

자기 플럭스의 치수 공식

자기장은 b =힘 / (전하 x 속도)로 공식화됩니다.

공식에서 각 용어의 차원을 개별적으로 가져 와서 차원 공식을 도출합시다.

힘의 경우 [M1L1T-2]입니다.  

[i1 t1]은 전하를위한 것이고 [l1t-1]은 속도입니다.

B =[M1L1T-2] / [i1 T1] [L1T-1]

따라서 자기장의 치수 공식 (b) =[m1t-2i-1]

우리는 이미 (b) =b a

여기서 (a) =[l2] 그리고 우리는 이미 b.

치수를 대체 해 봅시다. =[M1T-2i-1] [L2]

   =[m1l2t-2i-1]

치수 공식은 [M1L2T-2I-1]으로 작성 될 수 있습니다. 

파생

우리는 이미 그것이

b =b .a

b =b. A. cos

b =[b cos]

여기,

  b =자기 플럭스

=b와 a

COS =0, =900

여기서 정상적이고 평행 벡터 b.

따라서 B =b로 공식화 될 수 있습니다. A. 0

  b =0

자기 플럭스는 0입니다.

cos =1, =00

B를 표면에 수직으로 취한 다음

b =.h

위의 방정식에서 =투과성

H =자기 강도

H는 단위 영역의 선 수입니다. 

B는 표면에 수직이므로 자기 플럭스는 최대 및 불균일합니다.

아래와 같이 정의 할 수 있습니다.

D B =b. ds

D B =b. nds

상기 자기장은 작은 영역 ds에 대해서만 측정됩니다. 이것은 또한

b =∲ b. nds

∲ 표면을 통한 플럭스의 표면 적분입니다.

중요성

자기 플럭스는 표면의 자기장을 결정하는 데 사용될 수 있습니다. Faraday의 법칙은 코일의 자기장의 회전을 설명합니다. 그것은 플럭스의 변화를 초래합니다. 따라서 생성 된 전압은 쉽게 측정 할 수 있습니다.

가우스 자기 법칙은 닫힌 표면에서 자기 플럭스의 반응을 연구하는 데 사용됩니다. 우리 모두는 자석이 그 안에 쌍극자가 있지만 닫힌 표면 (구와 같은)에는 두 개의 극이 없다는 것을 알고있을 것입니다. 따라서 자기 플럭스는 0입니다.

그것은 한 지역에서 자기력의 영향을 설명합니다. 

치수 공식

물리적 수량의 차원은 기본 수량이 해당 금액을 나타 내기 위해 상승하는 힘입니다. 물리적 수량의 치수 공식은 그 양에 기본 수량 중 어느 것이 포함되는지를 설명하는 방정식입니다. 그것은 사각형 괄호로 기본 금액을 나타내는 기호를 해당 전력, 즉 ().

예를 들어 :변위의 치수 공식은 다음과 같습니다. (l)

치수 방정식은 물리적 수량을 치수 공식과 동일시하여 얻어지면 물리적 수량의 치수 방정식을 계산하는 데 사용됩니다.

결론

우리는 자기 플럭스의 개요에 대해 논의했습니다 파생으로. 단위 면적으로 전달되는 벡터 또는 자기장의 양은 자기 플럭스라고합니다. 장치는 M2 당 weber입니다. 자기 플럭스의 치수 공식 표준 물리량과 자기장을 사용하여 도출됩니다. 평평하고 폐쇄 된 표면에서 자기장의 결정은 자기 플럭스 중요성을 나타냅니다 . 이를 위해 Gauss의 자기 자력 법칙과 Faraday의 법칙은 많은 도움이됩니다.