Quantum Hall 효과 :
매우 낮은 온도와 강한 자기장의 존재 하에서, 층 재료는 양자 홀 효과 (QHE)를 나타낼 수있다. 이 현상은 전기 전도도의 양자화를 초래하며, 여기서 컨덕턴스는 특정 이산 값을 취합니다. QHE는 재료의 가장자리 근처에 국소화 된 전자 상태의 형성으로 인해 발생하며, 이는 자기장의 영향을받습니다.
초전도 :
삽입 된 흑연 및 특정 TMD와 같은 일부 층화 된 재료는 매우 낮은 온도로 냉각 할 때 초전도성을 나타내는 것으로 밝혀졌습니다. 초전도성은 저항이없는 전기를 전도하는 재료의 능력입니다. 층화 된 물질에서, 층 내의 전자와 삽입 된 종 또는 결함 사이의 상호 작용으로 인해 초전도성이 나타날 수있다.
모트 절연체 전환 :
층화 된 재료는 재료 내의 전자 상관이 강해질 때 금속 상태에서 모트 절연체 상태로 전이 될 수있다. 모트 절연체 상태에서, 재료는 전자의 국소화로 인해 전기적으로 절연된다. 이 전이는 전자 사이의 쿨롱 반발에 의해 구동되며, 이는 일반적으로 전자의 자유로운 움직임을 허용하는 운동 에너지를 극복합니다.
흥분성 절연체 상태 :
전이 금속 디칼 코게 나이드와 같은 특정 층 반도체에서, 흥분성 절연체 상태는 저온에서 형성 될 수있다. 이 상태에서, 전자 및 구멍 (전자의 부재)은 단단히 결합되어 엑시톤을 형성하는데, 이는 효과적으로 중성 준 입자이다. 흥분성 절연체 상태는 전하 운반체의 운송을 방해하여 절연 거동을 초래합니다.
Valleytronics :
계층화 된 재료, 특히 TMD는 계곡의 자유도를 일으키는 독특한 전자 밴드 구조를 가지고 있습니다. 계곡은 전도 및 원자가 밴드가 터치하는 모멘텀 공간의 영역이며 전자 또는 구멍으로 선택적으로 채워질 수 있습니다. 이 숙박 시설은 정보 저장 및 처리를위한 Valley 지수의 조작을 포함하는 Valley 기반 전자 제품 또는 Valleytronics를 가능하게합니다.
토폴로지 절연체 상태 :
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계층화 된 재료를 극단적 인 조건으로 밀면 이러한 매혹적인 현상을 드러내면서 이러한 재료의 기본 물리학에 대한 새로운 통찰력을 제공하고 잠재적 인 기술 응용 분야를위한 길을 열어줍니다. 이러한 극한 조건은 저온, 고압, 강한 자기장 또는 화학적 변형과 같은 다양한 수단을 통해 달성 될 수 있으며, 각각은 재료의 특성에서 뚜렷한 변화를 유발할 수 있습니다. 이러한 극단적 인 체제를 탐색함으로써 과학자들은 새로운 기능을 잠금 해제하고 전례없는 정밀도로 재료 특성을 조작하여 전자 제품, 스핀 트론 및 양자 컴퓨팅과 같은 분야의 발전을 초래합니다.
