1. 염화 아연 층의 형성 :
* 초기에 아연이 염산과 반응 할 때 아연 (ZnCl) 층이 아연의 표면에 형성됩니다.
*이 층은 비교적 불용성이며 장벽으로 작용하여 반응 속도를 늦추 었습니다.
2. 열 생성 :
* 아연과 염산 사이의 반응은 발열이므로 열이 방출됩니다.
* 반응이 진행됨에 따라 열이 발생하면 용액의 온도가 증가합니다.
3. 온도에 따른 반응 속도 증가 :
* 화학 반응 속도는 일반적으로 온도가 증가함에 따라 증가합니다.
* 반응에 의해 생성 된 열은 용액의 온도를 증가시켜 반응 속도가 빨라집니다.
4. 염화 아연 층의 파괴 :
* 반응에 의해 생성 된 열로 인한 온도가 증가하면 아연 염화물 층이 더욱 용해되고 분해됩니다.
* 이것은 산에 더 많은 아연을 노출시켜 반응이 더 빠른 속도로 진행할 수있게합니다.
5. 자가 촉매 :
* 반응 자체는 부산물로서 수소 이온 (H+)을 생성한다. 이들 수소 이온은 반응을 추가로 촉매하여 공정의 속도를 높일 수있다.
요약 :
초기 느린 반응은 보호 아연 층의 형성에 기인한다. 그러나, 반응에 의해 생성 된 열은 온도를 증가시켜 염화 아연 층을 더욱 용해시키고 산에 더 많은 아연을 노출시킨다. 이로 인해 반응 속도가 빨라져 온도가 더 높아지고 양성 피드백 루프에서 반응 속도를 높입니다.
