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게르마늄 설파이드 직접 밴드 갭 물질입니까 아니면 간접입니까?

독일 황화물 (GES)은 간접 밴드 갭 반도체 입니다 .

이유는 다음과 같습니다.

* 밴드 구조 : GES의 밴드 구조는 전도 대역의 최소값과 원자가 대역의 최대 값이 Brillouin 구역의 동일한 지점에서 발생하지 않음을 보여줍니다. 이것은 전자가 원자가 대역에서 전도 대역으로 전환 되려면 에너지와 운동량을 모두 바꿔야 함을 의미합니다.

* 광학 흡수 : 간접 밴드 갭 재료는 직접 밴드 갭 재료와 비교하여 광자에 대한 흡수 계수가 낮습니다. 이는 전환이 모멘텀을 보존하기 위해 포논 (격자 진동)의 참여가 필요하기 때문에 프로세스가 가능성이 떨어지기 때문입니다.

* 발광 : GES는 약한 발광을 나타내며, 이는 간접 밴드 갭 재료의 또 다른 특징입니다. 이는 운동량 불일치로 인해 전자 및 구멍의 복사 재조합이 덜 효율적이기 때문입니다.

GES는 직접적인 밴드 갭 재료는 아니지만 여전히 다양한 응용 분야에 적합한 흥미로운 광학 및 전자 특성이 있습니다.

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