NPN 및 PNP 트랜지스터

트랜지스터는 싱크 저항 회로에서 소스 저항 회로로 약한 신호를 교환하거나 전송하는 반도체입니다. 전류 및 전압과 같은 전기 신호는 조절, 방법 및 증폭됩니다.

이들은 회로를 통해 전류의 흐름을 제어 할 수 있다는 점에서 독특합니다. 트랜지스터는 전류의 흐름을 제어하기 위해 두 리드 사이의 전압을 조절하고 제어합니다. 각 트랜지스터에는 세 개의 리드가 있습니다.

NPN 트랜지스터

BJT (Bipolar Junction Transistor)는 NPN 트랜지스터의 한 형태입니다. 전자는 우세한 전류 캐리어이고 구멍은 더 적은 운반자입니다. 그들의 배열은 그들 사이에 이식 된 얇은 층 재료 인 P- 타입 도핑 반도체의 층이 N- 타입 도핑 반도체를 분리하도록한다.

이미 터 전류 =수집기 전류 + 기본 전류

NPN 트랜지스터의 작업

• p- 타입 반도체의 대부분의 충전 캐리어는 전자이며, 이는 이미 터 현재 배터리의 양의 단자에 의해 반발됩니다.
• 전자 밀도가 낮기 때문에 구멍의 5%만이 전자와 함께베이스에 도달하여 기본 전류 IB가 나타납니다. 기본 전류는 IB의 5%와 같습니다.
• 나머지 95%는 수집가들 사이에 배포됩니다. IC는 수집가의 전류이며 IE의 95 %입니다.
• 구멍이베이스의 전자와 결합되면 배터리의 네거티브 터미널에서 와이어를 통해 바닥으로 흐르는 전자에 의해 보상됩니다.
• 이 트랜지스터의 구멍 때문에 전류 흐름. 전자의 흐름은 외부 회로에서 전류를 생성합니다.
• 우리가 얻는 회로에서, 즉, ie =ib+ic.

PNP 트랜지스터

양극성 접합 트랜지스터는 PNP 트랜지스터라고도합니다. 이에서는 구멍이 1 차 전류 운반 소스이며 전자는 사소한 역할을합니다. 이들의 배열은 p 형 도핑 된 반도체 재료가 N- 타입 도핑 된 반도체 재료의 얇은 층에 의해 분리되도록한다.

이미 터 전류 =수집기 전류 + 기본 전류

PNP 트랜지스터의 작업

• n 형 반도체에서 전자는 대부분의 전하 운반체를 구성하고 이미 터 현재 배터리의 음의 단자에 의해 반발됩니다.
• 전자 밀도는 낮습니다. 전자의 5%만이 구멍으로베이스에 들어가 기본 전류가 IB로 나타납니다. 기본 전류는 IB의 5%입니다.
• 나머지 95%는 수집가들 사이에 배포됩니다. 수집가 현재 IC는 IE의 95 %입니다.
• 와이어를 통해 배터리의 양의 단자에서베이스로 구멍을 통과하면베이스의 구멍과 혼합 될 때 이미 터가 보상됩니다.
• 현재 n-p-n 트랜지스터 및 외부 회로는 전자 흐름에 의해 구동됩니다.
• 우리가 찾은 회로에서 ic =ie-ib.

NPN과 PNP 트랜지스터의 차이

NPN 및 PNP 트랜지스터에 대한 중요한 점

• 트랜지스터는 전류 및 전압과 같은 전기 신호를 제어, 구성 및 증폭시키는 반도체 장치입니다.
• 전자는 NPN 트랜지스터의 우세한 전류 캐리어 인 반면 구멍은 사소한 것입니다.
• PNP 트랜지스터에서 구멍은 전류의 대부분을 운반하는 반면 전자는 사소한 역할을합니다.
• n- 타입 이미 터는 네거티브 폴에 연결되어 있고 p- 타입 이미 터는 순방향 바이어스에서 동일한 배터리 VE의 양극에 연결되어 있으며, p- 타입베이스는 네거티브 폴에 연결되며 N- 타입 이미 터는 역 바이즈에서 동일한 배터리 VCC의 양극에 연결되어 있습니다.

결론

외부 전위가 터미널에 적용될 때, 트랜지스터는 도체 또는 절연체 (형성된 연결에 따라)로 작동 할 수있는 반도체 재료로 구축 된 3 개의 말단 장치로 정의됩니다. 양극성 다이오드에서, 2 개의 별도의 전하 운반체가 트랜지스터에서의 전도에 책임이있다. 이것은 회로의 한 영역에서 다른 영역으로 전달되는 저항을 나타냅니다. 스위칭 및 증폭은 상태를 수정하는 능력으로 인해 보유하는 두 가지 필수 기능입니다.

따라서, 트랜지스터는 전자 장치로 특성화 될 수 있으며, 작은 양의 전류가 광 방출 다이오드에 전원을 공급하는 것과 같은 더 큰 전류를 구동하거나 작은 AC 신호가 증폭 될 때 스위치로 사용될 수있는 전자 장치로 특성화 될 수있다.

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