LMR에 대한 한 가지 가능한 설명은 재료에서 Landau 수준의 형성으로 인해 발생한다는 것입니다. Landau 수준은 전자가 자기장에서 차지할 수있는 불연속 에너지 수준이며, 재료의 전자 특성의 변화를 초래할 수 있습니다. LMR에 대한 또 다른 가능한 설명은 재료의 자기 불순물에 의한 전자의 산란으로 인해 발생한다는 것입니다. 이 산란은 또한 재료의 전자 특성을 변화시킬 수 있습니다.
LMR에 대한이 두 메커니즘의 상대적 기여는 여전히 완전히 이해되지 않았으며,이 현상의 정확한 기원을 결정하기 위해 추가 연구가 필요합니다. 그러나 LMR의 기원에 대한 논쟁은 동일한 실험 관찰을 설명하기 위해 어떻게 다른 물리 이론을 적용 할 수 있는지에 대한 매혹적인 예입니다.
다음은 LMR에 대한 제안 된 두 가지 메커니즘에 대한 자세한 설명입니다.
Landau 수준 형성 : 자기장이 재료에 적용될 때, 재료의 전자는 원형 궤도로 움직여야한다. 이 궤도를 Landau 레벨이라고하며 양자화되어 특정 에너지만을 가질 수 있습니다. Landau 수준의 에너지 수준은 자기장의 강도와 전자의 질량에 따라 다릅니다.
자기장이 증가함에 따라 Landau 수준이 더 가까워지고 전자가 흩어질 가능성이 높습니다. 이 산란은 재료의 전기 저항을 증가시킬 수 있습니다.
자기 불순물 산란 : 자기 불순물은 자기 모멘트가있는 원자 또는 분자입니다. 이러한 불순물이 재료에 존재하면 전자를 산란시키고 재료의 전기 저항을 증가시킬 수 있습니다.
산란의 강도는 자기 불순물의 농도와 자기 모멘트의 강도에 따라 다릅니다. 자기 불순물의 농도가 증가함에 따라 산란이 더 강해지고 전기 저항이 증가합니다.
LMR에 대한이 두 메커니즘의 상대적 기여는 여전히 완전히 이해되지 않았으며,이 현상의 정확한 기원을 결정하기 위해 추가 연구가 필요합니다. 그러나 LMR의 기원에 대한 논쟁은 동일한 실험 관찰을 설명하기 위해 어떻게 다른 물리 이론을 적용 할 수 있는지에 대한 매혹적인 예입니다.
