* 대상 재료 : 재료는 다양한 원자 구조와 전자 구성을 가지므로 들어오는 전자와 상이한 상호 작용을 초래합니다. 일부 재료는 다른 재료보다 열로 더 많은 에너지를 흡수합니다.
* 전자 에너지 : 더 높은 에너지 전자는 표적 물질을 침투 할 가능성이 높아서 표면 근처의 열로 에너지가 줄어 듭니다.
* 목표 두께 : 두꺼운 표적은 더 많은 상호 작용과 에너지 증착을 허용하여 열이 증가합니다.
* 발생률 : 각도에서 대상을 때리는 전자는 더 많이 산란하여 에너지가 열로 침착 될 수 있습니다.
일반화 :
* 저에너지 전자 (<1 kev) : 운동 에너지의 상당 부분은 종종 열로 전환됩니다.
* 고 에너지 전자 (> 10 kev) : 더 많은 에너지가 X- 선 생산이나 이온화와 같은 다른 공정으로 더 많은 에너지가 들어 오면 에너지의 작은 부분이 일반적으로 열로 전환됩니다.
특정 예 :
* 전자 현미경 : 전자 현미경에서는 전자 빔의 에너지의 적은 비율만이 열로 변환됩니다.
* X- 선 튜브 : X- 선 튜브에서, 전자 빔의 에너지의 상당 부분이 열로 변환되어 효율적인 냉각 메커니즘이 필요합니다.
열에 대한 전환 효율은 복잡한 과정이며 고정 비율이 아님을 이해하는 것이 중요합니다. 전자와 표적 재료 사이의 상호 작용의 특정 조건에 의해 결정됩니다.
