* 메탈 로이드 : 이 요소들은 주기율표의 "계단"에 있고 금속이 비금속에서 분리되어 있습니다. 그들은 금속과 비금속의 특성을 나타냅니다.
* 반도체 : 이 재료는 도체 (구리와 같은)와 절연체 (유리와 같은) 사이의 전기 전도성을 갖습니다. 그들은 온도 증가 또는 불순물의 존재와 같은 특정 조건에서 전기를 전도 할 수 있습니다.
왜 대부분의 메탈 로이드 반도체인가?
메탈 로이드는 반도체 역할을 할 수있는 독특한 전자 구조를 가지고 있습니다.
* 중간 밴드 갭 : 메탈 로이드는 절연체보다 작지만 도체보다 큰 밴드 갭 (원자가와 전도 대역 사이의 에너지 차이)을 가지고 있습니다. 이를 통해 전자는 특정 조건 하에서 전도 대역으로 점프 할 수 있으므로 전기 전도성이 가능합니다.
* 가변 전도도 : 불순물 (도핑)을 통제 된 방식으로 추가하여 전도도를 조정할 수 있습니다. 이것은 과량의 전자 (N- 타입 반도체) 또는 구멍 (P- 타입 반도체)을 생성하여 전도도에 더 영향을 미칩니다.
예 :
* 실리콘 (si) 및 게르마늄 (GE) 전자 제품에서 반도체로 사용되는 가장 일반적인 메탈 로이드입니다.
* 비소 (AS) 및 안티몬 (SB) 또한 다양한 응용 분야에서 사용되는 반도체 특성을 갖는 메탈 로이드이다.
예외 :
대부분의 금속성은 반도체이지만 몇 가지 예외가 있습니다.
* Tellurium (Te) 기술적으로 메탈 로이드이지만 금속성 특성이 더 많으며 전형적인 반도체가 아닙니다.
요약 :
금속성과 반도체 사이의 관계는 가깝고, 대부분의 금속성은 고유 한 전자 구조와 특정 조건에서 전기를 전도하는 능력으로 인해 반도체 특성을 나타냅니다. 이것은 전자 산업에서 중요한 재료를 만듭니다.
